اثر ناخالصی باردار بر رسانش الکتریکی در گرافیت دو بعدی
Authors
Abstract:
چکیده در این کار پژوهشی با لحاظ ناخالصی‌های باردار به عنوان مراکز پراکندگی، اثر آن‌ها را روی رسانش متناظر در یک لایه گرافیت دوبعدی مطالعه می‌کنیم. ابتدا با توجه به اهمیت اثر استتار روی ناخالصی‌ها و تابع پلاریزاسیون استاتیک، با استفاده از تقریب جرم مؤثر و معادلهٔ k.p، رسانش را بر حسب چگالی حامل‌های صفحه‌ای در دماهای مختلف محاسبه و رسم می‌کنیم. نشان داده‌ایم که رسانش در دماهای پایین رفتاری فلزی و در دماهای بالا به صورت عایق عمل می‌کند. محاسبه و ترابرد حامل‌های بار و اثر توزیع‌های مختلف ناخالصی باردار بر رسانش را، در دو حالت توزیع ناخالصی‌ها به صورت تصادفی و به صورت خوشه‌ای محاسبه و رسم می‌کنیم. نتایج به دست آمده با داده‌های تجربی و نظری اخیر مطابقت دارد.
similar resources
اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
full textاثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
full textتاثیر ناخالصی الکتریکی بر روی رسانش یک سیم کوانتومی
مطالعه رسانایی الکتریکی در سیستم های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسائل در فیزیک نانو ساختار است. در سالهای اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطههای کوانتومی، سیمهای کوانتومی و سیمهای مولکولی وجود داشته است. در اکثر موارد به منظور بررسی رسانش، رسانایی به روش لانداور محاسبه می شود. این روش بیان می کند که رسانایی یک سیستم تک کاناله در دمای صفر و بایاس صفر درست برابر ضریب رسانش اس...
15 صفحه اولبررسی هدایت الکتریکی و خواص فیزیکی مکانیکی دو نوع پوشش آنتی‌‌استاتیک بر پایه گرافیت و دوده
پوشش‌های رسانای جریان الکتریکی، به طور اساسی علاوه بر خواص عمومی دیگر پوشش‌ها نظیر انواع مقاومت‌های شیمیایی، خواص چسبندگی مناسب، خواص مکانیکی خوب جهت پخش کردن یا هدایت بار الکتریکی ساکن ایجاد شده در سطح به کار می‌روند، زیرا پوشش‌های پلیمری رایج نظیر اپوکسی‌ها و پلی‌یورتان‌ها ذاتاً عایق و حبس‌کننده بار الکتریکی ساکن هستند. البته این پوشش‌ها در کنار این نقش اصلی (تخلیه الکترواستاتیکی بار) به عنوان...
full textبررسی استحکام و رسانش الکتریکی دو بعدی در کامپوزیت های اپوکسی-نانولوله کربنی
تحقیقات اخیر نشان دهنده آنست که خواص الکتریکی و مکانیکی کامپوزیتهای پلیمری با اضافه کردن مقادیر کم نانولولههای کربنی بهبود مییابد. مطابق تحقیقات اخیر همراستاسازی نانولولههای کربنی در کامپوزیت پلیمری میتواند تاثیر بسزایی بر بهبود خواص کامپوزیت داشته باشد. هر چند همراستاسازی یک بعدی، خواص کامپوزیت را در یک راستا افزایش میدهد، اما در راستای عمود بر آن بهبود خواص مشاهده نمیشود. با این حال برای بهبو...
15 صفحه اولاثر میدان الکتریکی بر روی نقطه کروی کوانتومی GaAs/AlAs با ناخالصی هیدروژنی جایگزیده در مرکز
In this research, the effect of the uniform electric field on the ground-state of a centered hydrogenic donor impurity in a GaAs/AlAs spherical quantum dot was studied using infinite potential model. In presence of strong electric field, due to the stark effect (perturbing electric field), the ground state energy would increase linearly. In presence of weak electric fields, the normalized bind...
full textMy Resources
Journal title
volume 9 issue 2
pages 23- 30
publication date 2019-08-23
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023